(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM，randomaccessmemory(随机存取存储器)的缩写，下面是大家理的目前所有的存储器的区别。
SRAM：静态随机存储器，就是它不需要刷新电路，不像动态随机存储器那样，每隔一段时间就要刷新一次数据。但是他集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的。
DRAM，动态随机存取存储器，要一直的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
SDRAM：同步动态随机存储器，像电脑的内存就是用的这种RAM叫DDRSDRAM。其集成度很高，因为是动态的，所以必须有刷新电路，每隔一段时间必须得刷新数据。其存储单元不是按线性排列的，是分页的。一般的嵌入式产品里面的内存都是用的SDRAM。
DDRSDRAM：双通道同步动态RAM，需要刷新，速度快，容量大。(目前电脑就是用的DDR的内存条都好几代了)
PROM：可编程只读存储器，只能写一次，写错了就得报废，现在用得很少了，好像那些成本比较低的OPT单片机里面用的就是这种存储器吧。
EPROM：可擦除可编程存储器，这东西也比较古老了，是EEPROM的前身，在芯片的上面有个窗口，通过紫外线的照射来擦除数据。非常之麻烦。
EEPROM：电可擦除可编程只读存储器，比之EPROM就先进点了，可以用电来擦除里面对数据，也是现在用得比较多的存储器，比如24CXX系列的EEPROM。
NANDFLASH和NORFLASH都是现在用得比较多的非易失性闪存。NOR采用的并行接口，其特点读取的速度比之NAND快乐很多倍，其程序能直接在NOR里面运行。但是它的擦除速度比较慢，集成度低，成本高的。现在的NOR的容量一般在2M左右，一般是用在代码量小的嵌入式产品方面。还有就是在ARM9的开发板上可以看见。
而NAND呢，采用的是串行的接口，CPU从里面读取数据的速度很慢，所以一般用NAND做闪存的话就必须把NAND里面的数据先读到内存里面，然后CPU才能够执行。就跟电脑的硬盘样的。但是它的集成度很高，我的ARM9的开发板上面一块256M的NAND还没有一块2M的NOR的一半大，所以成本很低。还有就是它的擦除速度也的NOR要快。要不然的话那就真的悲剧了，假如擦除一块2M的NOR要一分钟，如果NAND的擦除速度比NOR还要慢，那擦除一块256M的NAND不是要几个小时。NAND一般是用在那些要跑大型的操作系统的嵌入式产品上面，比如LINUX啊，WINCE啊。NOR可是可以跑，可以把LINUX操作系统剪裁到2M以内，一个产品难道只去跑系统吗?用户的应用程序呢!其实很多时候，一个嵌入式产品里面，操作系统占的存储空间只是一小部分，大部分都是给用户跑应用程序的。就像电脑，硬盘都是几百G，可是WINDOWNS操作系统所占的空间也不过几G而已。
SRAM：静态RAM，不用刷新，速度能非常快，像CPU内部的cache，都是静态RAM，缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多，因而价格昂贵，容量不大。
SDRAM：同步动态RAM，需要刷新，速度较快，容量大。(以前的电脑用的内存条)
DDRSDRAM：双通道同步动态RAM，需要刷新，速度快，容量大。(目前电脑就是用的DDR的内存条都好几代了)
DRAM的英文全称是DynamicRAM，翻译成中文就是动态随机存储器。DRAM用于通常的数据存取。我们常说内存有多大，主要是指DRAM的容量。
SRAM的英文全称是StaticRAM，翻译成中文就是静态随机存储器。SRAM大多数都用在制造Cache。
SDRAM的英文全称是SynchronousDRAM，翻译成中文就是扩充数据输出内存，它比一般DRAM和EDORAM速度都快，它已经慢慢的变成为PC机的标准内存配置。
Cache的英文原意是储藏，它通常用SRAM制造，它与CPU之间交换数据的速度高于DRAM，所以被称作高速缓冲存储器，简称为高速缓存。由于CPU的信息处理速度常常超过其它部件的信息传递速度，所以使用一般的DRAM来作为信息存储器常常使CPU处于等待状态，造成资源的浪费。Cache就为了解决这个问题而诞生的。在操作系统启动以后，CPU就把DRAM中经常被调用的一些系统信息暂时储存在Cache里面，以后当CPU需要调用这一些信息时，首先到Cache里去找，如果找到了，就直接从Cache里读取，这样利用Cache的高速性能就能节约很多时间。大多数CPU在自身中集成了一定量的Cache，一般被称作一级缓存或内置Cache。这部分存储器与CPU的信息交换速度是最快的，但容量较小。大多数主板上也集成了Cache，一般被称作二级缓存或外置Cache，比内置Cache容量大些，一般可达到256K，现在有的主板已经使用了512K～2M的高速缓存。在最新的Pentium二代CPU内部，已经集成了一级缓存和二级缓存，那时主板上的Cache就只能叫作三级缓存了。
闪存目前主板上的BIOS大多使用FlashMemory制造，翻译成中文就是闪动的存储器，通常把它称作快闪存储器，简称闪存。这种存储器可以直接通过调节主板上的电压来对BIOS进行升级操作。
这个是由于ram的设计类型决定的，dram用了一个t和一个rc电路，导致电容毁漏电和缓慢放电。所以要经常的刷新来保持数据
DRAM，动态随机存取存储器，要一直的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。
DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM，但是现在，SDRAM的速度也已经很快了，时钟好像已经有150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。SDRAM虽然工作频率高，但是实际吞吐率要打折扣。以PC133为例，它的时钟周期是7.5ns，当CASlatency=2时，它需要12个周期完成8个突发读操作，10个周期完成8个突发写操作。不过，如果以交替方式访问Bank，SDRAM可以在每个周期完成一个读写操作(当然除去刷新操作)。其实现在的主流高速存储器是SSRAM(同步SRAM)和SDRAM(同步DRAM)。目前可以方便买到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz;可以方便买到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。
SRAM是StaticRandomAccessMemory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM(DRAM)不同，DRAM有必要进行周期性的刷新操作。然后，我们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和FlashMemory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。
SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作的流程中存储单元的访问。因此，一个存储位常常要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问加载速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问加载速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。
从晶体管的类型分，SRAM可大致分为双极性与CMOS两种。从功能上分，SRAM可大致分为异步SRAM和同步SRAM(SSRAM)。异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。
DRAM：动态随机存取存储器，要一直的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
SRAM：静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。
主要是存储单元结构不同导致了容量的不同。一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容(不包括行读出放大器等)，而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大，但是读写速度不如SRAM。
一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触发器来保存信息，而动态的是用电子，要不时的刷新来保持。
内存(即随机存贮器RAM)可分为静态随机存储器SRAM，和动态随机存储器DRAM两种。我们大家常常说的“内存”是指DRAM。而SRAM大家却接触的很少。
SRAM其实是一种很重要的存储器，它的用途广泛。SRAM的速度很快，在快速读取和刷新时能够保
持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构很复杂。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上可使用SRAM。
