近年来，智能手机的每次更新换代基本都是使用更强的处理器和更大的内存，因此造成手机越用越慢的最终的原因，除了内部闪存中的文件装的太满或闪存的性能跟不上，多半是由于经常使用产生过多的文件碎片所导致的。
不过马上就要来临的UFS4.0闪存，不仅开启手机读写速度翻番的新纪元，更或将终结这一历史遗留问题。
闪存是FlashMemory中文直译，也是固态硬盘、U盘和各类存储卡的核心存储元器件，所以U盘和存储卡也被称作闪存盘或者闪存卡。
由于其具有体型小、容量大、速度快、省电和不怕磕碰等特性，大范围的应用于智能手机、平板电脑等设备，成为它们的“硬盘”，很多人问“你手机内存多大？”往往是指的是闪存容量大小，而不是真正的内存。
在计算机中，除了处理器（CPU）和内存（RAM）外，硬盘的速度也是影响总系统工作速度的重要指标，将机械硬盘（HDD）升级成固态硬盘（SSD）就能带来开机秒进桌面、游戏和大型软件的加载时间缩短数倍的体验。
但固态硬盘的接口标准和闪存类型不同，性能甚至会有成倍的差距。而智能手机本身就是一备的计算机，同一个机型使用eMMC5.1和UFS2.1两种闪存就会出现较大的存取性能差异。
eMMC闪存就是遵循eMMC协议的一套嵌入式存储解决方案，将闪存颗粒+主控制器+标准封装接口集合在一个小型的BGA封装芯片中，相当于一个较为完备的固态硬盘，而UFS的闪存也是同理。
对于手机的处理器来说，对于这两种闪存的支持，相当于主板上的全功能M.2接口，既支持NVMe也支持SATA的固态硬盘。
从工作方式看eMMC和UFS类似IDE（PATA）与SATA的区别。eMMC采用并行数据传输和半双工运行模式，读写操作无法同时执行；
而UFS采用串行数据传输和全双工运行模式，能一起进行读写操作，并支持指令队列。
同时，UFS技术标准也在一直在升级，2018年发布的UFS3.0闪存的顺序读写速度高达2100MB/s和410MB/s，随后UFS3.1更是将写入速度提升到了700MB/s，同时引入深度睡眠逐步降低了能耗，这对于移动电子设备来说意义巨大。
8月中旬JEDEC正式公布了JESD220F标准文档，也就是UFS4.0闪存正式版，将接口带宽提升至23.2Gbps，允许最大4.2GB/s的读写速度，是UFS3.1的两倍还多，可以预见LPDDR5内存和UFS4.0闪存的存储组合将成为下一代旗舰手机的标配。
例如2.5V新电压规范，相对于之前的的3.3V效能更高，发热量和耗电量逐步降低，同时还在循环队列、数据安全保护、错误记录等多方面有了改进，延迟更低，并向下兼容UFS3.0/3.1。
存储碎片化导致手机性能直线下降是长期以来的行业痛点，而FBO存储焕新技术是小米自研的行之有效的解决方案，该技术最早同西部数据一起率先实现。
根据小米官方微博，FBO焕新存储技术是一项固化在UFS闪存主控中的硬件级功能，在物理底层自动检验测试和整理手机存储的碎片，并将已有的文件重写排列组合变得连续，大幅度的提高存取效率。
可有效避免手机经常使用后性能直线下降的问题，经模拟4年使用后速度衰减几乎为0，接近一台全新的手机。
据悉，本次小米手机中采用的是西部数据iNAND MC EU551系列UFS3.1产品，该系列支持从128GB到512GB2的容量。
iNAND MC EU551嵌入式闪存器件采用更高性能的NAND、更高效的控制器和优化的固件设计。
西部数据表示，相对于上一代产品，iNAND MC EU551系列闪存的随机读写性能提升了100%和40%，顺序读写性能提升了30%和90%，应用和游戏的加载速度更快，多任务处理更高效、AR延时更短，更能从容应对8K视频的录制。
如今，人们对手机的平均容量和处理多媒体应用的高性能需求都在一直增长，UFS4.0闪存更快的传输速度能满足高分辨率图像处理、大型游戏高数据量吞吐需求。
同时FBO焕新存储技术或将让手机越用越慢的问题成为历史，就让我们共同期待新一代手机闪存的早日到来吧。
